BAZABTC

Транзистор UJ4C075018K4S (PG-TO 247-4) 750 В, 81 А

Артикул: 7145

DatasheetЧитать онлайнСкачать PDF
● Нет в наличииСрок поставки по запросу Оставьте запрос — уточним ближайшую поставку.
Склад

Цена

972 ₽

Бонусы

+ 19 Б

НДС 5%Подробнее

НДС уже учтён в цене

Сумма итого уже с учётом НДС.

Сумма итого
972,00 ₽
Сумма без НДС
925,71 ₽

Цена и наличие актуальны для выбранного варианта.

Условия гарантииУточните условия для выбранного товара.

Описание

UJ4C075018K4S — это высокопроизводительный силовой N‑канальный SiC FET транзистор (карбид кремния), разработанный компанией Qorvo (UnitedSiC). Он сочетает в себе SiC JFET и кремниевый MOSFET в одном корпусе TO‑247‑4, обеспечивая режим «нормально закрыт» и совместимость со стандартными драйверами затвора. Благодаря низким потерям при переключении, высокой температурной стойкости и отличным характеристикам обратного восстановления, этот транзистор идеально подходит для применения в высокоэффективных источниках питания, силовой электронике и оборудовании для майнинга.

Применяются в блоках питания: APW171215A, APW171215C

Назначение

Транзистор UJ4C075018K4S используется в цепях постоянного и переменного тока, в том числе в блоках питания для майнинг‑ферм, DC‑DC преобразователях, инверторах, системах коррекции коэффициента мощности (PFC), зарядных станциях для электромобилей, солнечных инверторах, приводах двигателей и установках индукционного нагрева. Высокая эффективность и низкие тепловые потери делают его оптимальным выбором для оборудования с круглосуточной нагрузкой.

Ключевые преимущества

  • Максимальное напряжение сток‑исток — 750 В.
  • Сопротивление открытого канала RDS(on) — около 18 мОм (типовое значение).
  • Высокий допустимый ток стока — до 81 А при TC = 25 °C.
  • Низкий заряд затвора QG — ~37,8 нКл для быстрого переключения.
  • Отличные характеристики обратного восстановления (Qrr ≈ 102 нКл).
  • Низкое прямое падение напряжения на встроенном диоде — ~1,14 В.
  • Рабочая температура кристалла до +175 °C.
  • Корпус TO‑247‑4 с выводом Kelvin Source для чистых форм сигналов и минимизации паразитных индуктивностей.
  • Совместимость с драйверами затвора 0…15 В.
  • Pb‑Free, Halogen‑Free, RoHS‑совместимый.

Технические характеристики

Тип: N‑канальный SiC FET (Cascode)
Технология: Карбид кремния (SiC) + MOSFET
Корпус: TO‑247‑4
Максимальное напряжение VDS: 750 В
Максимальный ток ID: 81 А (TC = 25 °C), 60 А (TC = 100 °C)
Сопротивление канала RDS(on): ~18 мОм (тип.)
Заряд затвора QG: 37,8 нКл
Обратный заряд Qrr: 102 нКл
Падение напряжения на диоде VFSD: 1,14 В
Максимальная рассеиваемая мощность: до 385 Вт (при TC = 25 °C)
Диапазон рабочих температур: от −55 °C до +175 °C