C3M0045065K
650V 35A
C3M0045065K — это высокопроизводительный SiC MOSFET от компании Wolfspeed, разработанный для работы в условиях высокой мощности и напряжения. Благодаря технологии карбида кремния (SiC), данный транзистор обеспечивает низкие потери, высокую скорость переключения и отличную термостабильность, что делает его идеальным компонентом для источников питания майнинговых установок, инверторов и преобразователей.
Основные характеристики
- Тип: N-канальный SiC MOSFET
- Максимальное напряжение сток–исток: 650 В
- Сопротивление открытого канала RDS(on): 45 мΩ (типовое при 25°C)
- Максимальный ток: до 36 А при 25°C
- Корпус: TO-247-4 (с отдельным кельвиновским выводом для истока)
- Низкая входная и выходная зарядка: Qg ≈ 62 нКл
- Высокая скорость переключения и низкие потери при коммутации
Преимущества для майнинга
- Снижение тепловых потерь — меньшее энергопотребление и более эффективное охлаждение
- Устойчивость к перегрузкам и температурным скачкам — надёжная работа 24/7
- Быстрое переключение — повышение КПД в PFC и DC-DC преобразователях
- Снижение уровня ЭМИ благодаря кельвиновскому выводу и чистым фронтам сигналов
Области применения
- Блоки питания для ASIC и GPU-майнеров
- PFC-каскады и LLC/резонансные преобразователи
- Инверторы, зарядные станции, источники бесперебойного питания
- Системы с высокой плотностью мощности и ограниченным пространством для охлаждения