BAZABTC

Транзистор BL3N1K5B (TO-263) 3N1K5B

Артикул: 17869

DatasheetЧитать онлайнСкачать PDF
● В наличии: 57 шт.Отправим сегодня при заказе до 17:00 по Москве

Наличие и цена по складам

  • Склад №1

    В наличии: 57 шт.

    303 ₽

    за 1 шт.

    Отправим сегодня при заказе до 17:00 по Москве

    НДС 5%Подробнее

    НДС уже учтён в цене

    Сумма итого уже с учётом НДС.

    Сумма итого
    303,00 ₽
    Сумма без НДС
    288,57 ₽

  • Склад №2

    Нет в наличии

Добавим товар в корзину со склада «Склад №1».

Цена · Склад №1

303 ₽

Бонусы

+ 6 Б

Цена и наличие актуальны для выбранного варианта.

Условия гарантииУточните условия для выбранного товара.

Описание

BL3N1K5B — это высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор, выполненный в корпусе TO-263 (D2PAK), предназначенный для поверхностного монтажа. Он оптимален для применения в майнинговых блоках питания, драйверах, инверторах и других силовых схемах, где важны надёжность, термостабильность и устойчивость к перегрузкам.

Ключевые характеристики

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Маркировка: 3N1K5B
  • Максимальное напряжение сток-исток: 1500 В
  • Максимальный ток стока: 3 А
  • Корпус: TO-263 (D2PAK), для поверхностного монтажа
  • Сопротивление открытого канала: около 5.5 Ом
  • Мощность рассеяния: до 45 Вт
  • Температурный диапазон: от –55°C до +150°C

Применение в майнинге

BL3N1K5B применяется в схемах управления питанием, преобразователях напряжения, синхронных выпрямителях и коммутационных блоках. Благодаря высокому напряжению пробоя и надёжному корпусу, он обеспечивает стабильную работу оборудования при длительной эксплуатации и высоких нагрузках.

Преимущества

  • Высокое напряжение до 1500 В — подходит для силовых цепей
  • Корпус TO-263 — эффективный теплоотвод и компактность
  • Низкое сопротивление канала — минимальные потери
  • Подходит для поверхностного монтажа
  • Устойчивость к перегреву и лавинным нагрузкам

BL3N1K5B — это надёжный транзистор для построения энергоэффективных решений в майнинге, источниках питания и промышленных системах управления.