Транзистор MDF10N50F (TO-220F)

MDF10N50F — надёжный N-канальный MOSFET в корпусе TO-220F, предназначенный для работы в высоковольтных силовых цепях. Обеспечивает стабильную коммутацию при напряжении до 500 В и токе до 10 А, что делает его подходящим для применения в майнинговых блоках питания, инверторах, драйверах и других устройствах с повышенной нагрузкой.

Ключевые характеристики

• Тип: N-канальный MOSFET
• Корпус: TO-220F (изолированный, с теплоотводящей площадкой)
• Максимальное напряжение сток-исток: 500 В
• Максимальный ток стока: 10 А
• Сопротивление открытого канала RDS(on): около 0.85 Ом при VGS = 10 В
• Максимальная мощность рассеивания: до 45 Вт
• Температурный диапазон: от -55°C до +150°C

Преимущества

• Изолированный корпус — упрощает монтаж на радиатор без дополнительной прокладки
• Высокое напряжение пробоя — подходит для силовых и импульсных схем
• Надёжная работа при повышенных температурах
• Совместимость с драйверами силовых транзисторов

Применение

Рекомендуется для использования в майнинговых фермах, источниках питания с высоким КПД, DC-DC и AC-DC преобразователях, драйверах двигателей, промышленных инверторах и других силовых устройствах, где требуется стабильная работа при высоком напряжении и токе.

Дополнительная информация

Для эффективного теплоотвода рекомендуется установка на радиатор с термопастой. Подробные электрические параметры, графики и типовые схемы включения доступны в официальном даташите производителя.