Транзистор CRXQ160M120G1 (TO-247)

Артикул: 27763

● В наличии: 24 шт.Отправим сегодня при заказе до 17:00 по Москве
Склад

Цена

393 ₽

Бонусы

+ 8 Б

НДС 5%Подробнее

НДС уже учтён в цене

Сумма итого уже с учётом НДС.

Сумма итого
393,00 ₽
Сумма без НДС
374,29 ₽

Цена и наличие актуальны для выбранного варианта.

Условия гарантииУточните условия для выбранного товара.

Описание

CRXQ160M120G1 — это мощный N-канальный SiC MOSFET транзистор, предназначенный для работы в высоковольтных силовых цепях. Корпус TO-247 обеспечивает надёжный теплоотвод и устойчивость к перегрузкам, что делает компонент идеальным для применения в майнинговых блоках питания, инверторах и промышленных преобразователях.

Ключевые характеристики

  • Тип: N-канальный SiC MOSFET
  • Максимальное напряжение сток-исток: 1200 В
  • Максимальный ток стока: 160 А
  • Корпус: TO-247, с теплоотводящей площадкой
  • Сопротивление открытого канала: менее 8 мОм
  • Температурный диапазон: от –55°C до +175°C

Применение в майнинге

CRXQ160M120G1 применяется в силовых участках майнинговых плат, DC-DC преобразователях, драйверах и инверторах. Благодаря технологии карбида кремния (SiC), транзистор обеспечивает минимальные потери при переключении, высокую термостабильность и устойчивость к перегрузкам, что критично для круглосуточной эксплуатации.

Преимущества

  • Технология SiC — высокая эффективность и надёжность
  • Корпус TO-247 — надёжный теплоотвод и механическая прочность
  • Подходит для высокочастотных и импульсных режимов
  • Совместимость с промышленными стандартами монтажа
  • Устойчивость к перегреву и лавинным нагрузкам

CRXQ160M120G1 — это надёжный силовой транзистор нового поколения для построения энергоэффективных решений в майнинге и промышленной электронике.