Транзистор IPP60R099C6 (TO-220)

Транзистор IPP60R099C6 (TO-220) — это N-канальный силовой MOSFET от Infineon серии CoolMOS C6. Технология супер-джанкшен обеспечивает низкое сопротивление открытого канала 99 мОм при напряжении 600В. Оптимизирован для высокочастотных импульсных источников питания, активных PFC и инверторов.

В майнинговом оборудовании IPP60R099C6 применяется в первичных цепях мощных блоков питания ASIC-майнеров (Antminer, Whatsminer). Используется в PFC-преобразователях и LLC-топологиях. Низкое сопротивление и высокая скорость переключения минимизируют тепловыделение и повышают КПД.

Назначение:

• Силовые ключи в активных корректорах коэффициента мощности (PFC).
• Применение в высокочастотных импульсных источниках питания.
• Использование в резонансных (LLC) топологиях.
• Замена вышедших из строя MOSFET в блоках питания майнеров.

Технические характеристики:

• Модель: IPP60R099C6.
• Производитель: Infineon Technologies.
• Серия: CoolMOS C6.
• Тип: N-канальный MOSFET.
• Технология: Super Junction.
• Корпус: TO-220.
• Напряжение сток-исток: 600 В.
• Ток стока: 37.9 А.
• Сопротивление открытого канала: 0.099 Ом (99 мОм).
• Заряд затвора: 119 нКл.
• Входная емкость: 2660 пФ.
• Рассеиваемая мощность: 278 Вт.
• Рабочая температура: -55…+150 °C.

Конструктивные особенности:

• Корпус TO-220, размеры 10.65×4.85×16.15 мм.
• Вес компонента: 0.0025 кг (2.5 грамма).
• Прочный пластиковый корпус с металлической подложкой.

Особенности:

• Низкое сопротивление канала 99 мОм.
• Высокая скорость переключения.
• Устойчивость к лавинному пробою.
• Энергоэффективность.

Рекомендации по применению:

• Обеспечить напряжение затвора ≥10 В.
• Использовать термопасту при монтаже на радиатор.
• Момент затяжки винта: 0.8…1.2 Н·м.
• Применять снабберные цепи для подавления выбросов.

IPP60R099C6 — высокоэффективный MOSFET для блоков питания ASIC-майнеров. Технология CoolMOS C6 обеспечивает низкое тепловыделение и высокую надежность.