Транзистор G1N65R035TB-N (TO-247)

Артикул: 3363

● В наличии: 26 шт.Отправим сегодня при заказе до 17:00 по Москве
Склад

Цена

473 ₽

Бонусы

+ 9 Б

НДС 5%Подробнее

НДС уже учтён в цене

Сумма итого уже с учётом НДС.

Сумма итого
473,00 ₽
Сумма без НДС
450,48 ₽

Цена и наличие актуальны для выбранного варианта.

Условия гарантииУточните условия для выбранного товара.

Описание

G1N65R035TB

650V 46,5A

G1N65R035TB-N — мощный N-канальный MOSFET в корпусе TO-247, предназначенный для работы в высоковольтных и высокотоковых силовых цепях. Обеспечивает надёжную коммутацию при напряжении до 650 В и токе до 80 А, что делает его отличным выбором для майнинговых блоков питания, инверторов, драйверов и других промышленных устройств с высокой нагрузкой.

Ключевые характеристики

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Корпус: TO-247 с теплоотводящей площадкой
  • Максимальное напряжение сток-исток: 650 В
  • Максимальный ток стока: 80 А
  • Сопротивление открытого канала RDS(on): 0.035 Ом
  • Максимальная мощность рассеивания: до 300 Вт при установке на радиатор
  • Температурный диапазон: от -55°C до +150°C

Преимущества

  • Низкие потери при переключении
  • Высокая надёжность при работе в условиях повышенной нагрузки
  • Удобный монтаж на радиатор через отверстие в корпусе
  • Совместимость с драйверами силовых транзисторов
  • Gan, GaNext

Применение

Рекомендуется для использования в майнинговых фермах, источниках питания с высоким КПД, DC-DC и AC-DC преобразователях, драйверах двигателей, промышленных инверторах и других силовых устройствах, где требуется стабильная работа при высоком напряжении и токе.