Транзистор FJP13009-2 (TO-220) 700 В, 9 А

Транзистор FJP13009-2 (TO-220) — это высоковольтный высокоскоростной NPN-транзистор, выпускаемый Fairchild Semiconductor (ныне ON Semiconductor). Данный компонент представляет собой эпитаксиально-планарный кремниевый прибор, оптимизированный для использования в ключевых режимах работы в цепях с высокими напряжениями и токами. Благодаря высокой скорости переключения и низкому сопротивлению насыщения, транзистор идеально подходит для применений, требующих высокой эффективности и надёжности.

В майнинговом оборудовании FJP13009-2 применяется во вспомогательных цепях питания, в схемах запуска блоков питания, в драйверах преобразователей и в цепях управления вентиляторами. Используется для замены вышедших из строя транзисторов в платах управления и вторичных источниках питания ASIC-майнеров. Высокое напряжение пробоя (700 В) и значительный ток коллектора (12 А) делают его пригодным для использования в мощных импульсных источниках питания и инверторах.

Назначение:

• Высокочастотные импульсные источники питания (SMPS) для майнингового оборудования.
• Электронные балласты и преобразователи напряжения.
• Схемы запуска и управления блоками питания ASIC-майнеров.
• Замена вышедших из строя высоковольтных транзисторов в управляющих платах.

Технические характеристики:

• Модель: FJP13009-2 (маркировка J13009-2).
• Тип: NPN биполярный транзистор.
• Корпус: TO-220.
• Напряжение коллектор-база (VCBO): 700 В.
• Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): 400 В.
• Напряжение эмиттер-база (VEBO): 9 В.
• Ток коллектора (IC): 12 А (постоянный).
• Импульсный ток коллектора (ICP): 24 А.
• Ток базы (IB): 6 А.
• Рассеиваемая мощность (PC): 100 Вт (с радиатором).
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 1.25 °C/Вт.
• Рабочая температура перехода: -65…+150 °C.
• Высокая скорость переключения.

Конструктивные особенности:

• Корпус TO-220 с металлической подложкой для отвода тепла.
• Эпитаксиально-планарная структура.
• Высокое пробивное напряжение.
• Высокая скорость переключения.
• Соответствие RoHS.
• Вес компонента: 0.002 кг (2.0 грамма).
• Габаритные размеры (Д x Ш x В): 10.2 мм x 4.7 мм x 15.2 мм.

Особенности:

• Высокое напряжение коллектор-база (700 В) обеспечивает запас прочности.
• Быстрое переключение для высокочастотных применений.
• Высокий ток коллектора (12 А) позволяет использовать транзистор в мощных цепях.
• Высокая надёжность в импульсных режимах.

Рекомендации по применению:

• Обеспечить достаточный ток базы для насыщения транзистора.
• Использовать радиатор при токах свыше 4 А.
• При коммутации индуктивной нагрузки устанавливать защитный диод.
• Не превышать максимальные значения тока и напряжения.

FJP13009-2 — надёжный высоковольтный NPN-транзистор для использования в импульсных источниках питания и преобразователях майнингового оборудования. Высокое напряжение и быстродействие обеспечивают стабильную работу в ключевых режимах.