Транзистор FCMT180N65S3 (PQFN4 8x8 2P)

FCMT180N65S3 — это высоковольтный N-канальный MOSFET в корпусе PQFN4 8x8 2P, предназначенный для работы в силовых цепях с напряжением до 650 В. Обеспечивает надёжную коммутацию при токе до 41 А, что делает его отличным выбором для майнинговых блоков питания, преобразователей и других промышленных приложений, где важны компактность и высокая эффективность.

Ключевые характеристики

• Тип: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток: 650 В
• Максимальный ток стока: 41 А
• Сопротивление открытого канала RDS(on): 0.18 Ом
• Корпус: PQFN4 8x8 2P, низкопрофильный SMD
• Мощность рассеяния: до 62.5 Вт
• Температурный диапазон: от –55°C до +150°C

Применение в майнинге

Транзистор FCMT180N65S3 используется в силовых блоках питания, DC-DC преобразователях, драйверах и распределительных узлах майнингового оборудования. Благодаря компактному корпусу и высокой термостабильности, он обеспечивает надёжную работу при круглосуточной эксплуатации и минимальные потери энергии.

Преимущества

• Высокое рабочее напряжение — до 650 В
• Компактный корпус для плотного монтажа
• Низкие потери при переключении
• Надёжная работа при высоких температурах
• Совместимость с автоматизированной пайкой

FCMT180N65S3 — это надёжный и компактный транзистор для построения эффективных решений в майнинге и промышленной электронике.