BAZABTC

Транзистор STH3N150-2 (H PAK-2)

Артикул: 5855

DatasheetЧитать онлайнСкачать PDF
● В наличии: 16 шт.Отправим завтра с 09:00 по Москве
Склад

Цена

864 ₽

Бонусы

+ 17 Б

НДС 5%Подробнее

НДС уже учтён в цене

Сумма итого уже с учётом НДС.

Сумма итого
864,00 ₽
Сумма без НДС
822,86 ₽

Цена и наличие актуальны для выбранного варианта.

Условия гарантииУточните условия для выбранного товара.

Описание

STH3N150-2 — это N-канальный MOSFET, выполненный по технологии PowerMESH, предназначенный для работы в силовых цепях с напряжением до 1500 В. Корпус H2PAK-2 обеспечивает надёжный теплоотвод и удобство монтажа, что делает компонент подходящим для применения в майнинговых источниках питания, инверторах и других высоковольтных промышленных схемах.

Ключевые характеристики

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Максимальное напряжение сток-исток: 1500 В
  • Максимальный ток стока: 2.5 А
  • Сопротивление открытого канала RDS(on): 6.0 Ом (типовое)
  • Корпус: H2PAK-2, с теплоотводящей площадкой
  • Мощность рассеяния: до 60 Вт при эффективном охлаждении
  • Температурный диапазон: от –55°C до +150°C

Применение в майнинге

Транзистор STH3N150-2 используется в высоковольтных участках силовых блоков питания, драйверах, преобразователях напряжения и распределительных узлах майнингового оборудования. Благодаря высокой стойкости к перенапряжениям и надёжной коммутации, он обеспечивает стабильную работу при круглосуточной эксплуатации.

Преимущества

  • Рабочее напряжение до 1500 В — подходит для высоковольтных схем
  • Корпус H2PAK-2 — надёжный теплоотвод и механическая прочность
  • 100% тестирование на лавинную прочность
  • Минимальные паразитные ёмкости — высокая скорость переключения
  • Совместимость с промышленными стандартами монтажа

STH3N150-2 — это надёжный высоковольтный транзистор для построения эффективных решений в майнинге и промышленной электронике.