Транзистор UJ4C075023K4S (PG-TO 247-4) 750 В, 66 А

UJ4C075023K4S — это современный N-канальный SiC MOSFET транзистор, выполненный в корпусе PG-TO247-4, предназначенный для работы в высоковольтных и высокочастотных силовых цепях. Благодаря широкозонной технологии карбида кремния (SiC), он обеспечивает минимальные потери, высокую термостабильность и надёжность при работе в условиях экстремальных нагрузок.

Применяются в блоках питания: APW171215A, APW171215C

Ключевые характеристики

• Тип: N-канальный SiC MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток: 750 В
• Максимальный ток стока: 23 А
• Корпус: PG-TO247-4, с дополнительным выводом для управления затвором (Kelvin source)
• Сопротивление открытого канала: около 80 мОм
• Мощность рассеяния: до 200 Вт (при надлежащем теплоотводе)
• Температурный диапазон: от –55°C до +175°C

Применение в майнинге

UJ4C075023K4S применяется в мощных источниках питания, инверторах, DC-DC преобразователях и драйверах, используемых в майнинговых установках. Благодаря технологии SiC, он обеспечивает высокую эффективность при переключении, снижает тепловые потери и повышает надёжность оборудования при круглосуточной эксплуатации.

Преимущества

• Высокое рабочее напряжение — до 750 В
• Корпус PG-TO247-4 — надёжный теплоотвод и дополнительный контроль затвора
• Технология SiC — высокая эффективность и термостабильность
• Подходит для импульсных и высокочастотных режимов
• Совместимость с промышленными стандартами монтажа

UJ4C075023K4S — это надёжный SiC транзистор для построения энергоэффективных решений в майнинге, промышленной автоматике и источниках питания высокой мощности.

075023