BAZABTC

Транзистор AP4N1R8CMT-A (SO-8)

Артикул: 2663

DatasheetЧитать онлайнСкачать PDF
● В наличии: 73 шт.Отправим сегодня при заказе до 17:00 по Москве
Склад

Цена

104 ₽

Бонусы

+ 2 Б

НДС 5%Подробнее

НДС уже учтён в цене

Сумма итого уже с учётом НДС.

Сумма итого
104,00 ₽
Сумма без НДС
99,05 ₽

Цена и наличие актуальны для выбранного варианта.

Условия гарантииУточните условия для выбранного товара.

Описание

AP4N1R8CMT-A — это высокоэффективный N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии Enhancement Mode, обеспечивающей низкое сопротивление открытого канала и высокую скорость переключения. Корпус SO-8 с тепловым контактом на обратной стороне делает его идеальным для применения в компактных DC-DC преобразователях, драйверах и силовых узлах майнингового оборудования.

Ключевые характеристики

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Максимальное напряжение сток-исток: 45 В
  • Максимальный ток стока: до 40 А
  • Сопротивление открытого канала: 1.8 мОм при Vgs = 10 В
  • Корпус: SO-8 с тепловым контактом (PMPAK-5x6)
  • Технология: Enhancement Mode
  • Быстрое переключение, низкий заряд затвора
  • Температурный диапазон: от –55°C до +150°C

Применение в майнинге

Транзистор AP4N1R8CMT-A применяется в DC-DC преобразователях, синхронных выпрямителях, драйверах и системах управления питанием, используемых в майнинговых блоках и платах. Благодаря высокой плотности тока, низким потерям и компактному корпусу, он обеспечивает стабильную работу оборудования в условиях круглосуточной эксплуатации. Особенно актуален для ремонта и сборки источников питания ASIC-майнеров, GPU-ферм и серверных решений.

Преимущества

  • Сверхнизкое сопротивление открытого канала
  • Компактный корпус с эффективным теплоотводом
  • Высокая скорость переключения
  • Надёжная работа при высоких токах и температурах
  • Совместимость с автоматизированной пайкой