Транзистор OSG60R017HT4Z (TO-247) 600 В 116 А

Артикул: 20365

● В наличии: 81 шт.Отправим сегодня при заказе до 17:00 по Москве
Склад

Цена

725 ₽

Бонусы

+ 15 Б

НДС 5%Подробнее

НДС уже учтён в цене

Сумма итого уже с учётом НДС.

Сумма итого
725,00 ₽
Сумма без НДС
690,48 ₽

Цена и наличие актуальны для выбранного варианта.

Условия гарантииУточните условия для выбранного товара.

Описание

OSG60R017HT4Z — это высокоэффективный N-канальный MOSFET транзистор, выполненный в корпусе TO-247, предназначенный для работы в силовых цепях с напряжением до 600 В и током до 120 А. Он разработан с применением технологии GreenMOS®, обеспечивающей минимальные потери при переключении и высокую устойчивость к лавинным нагрузкам.

Применяется на болоках питания Whatsminer P739A и P732A

Ключевые характеристики

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
  • Максимальный ток стока: 120 А
  • Корпус: TO-247, с мощной теплоотводящей площадкой
  • Сопротивление открытого канала: около 17 мОм
  • Мощность рассеяния: до 312 Вт (при хорошем теплоотводе)
  • Температурный диапазон: от –55°C до +150°C

Применение в майнинге

OSG60R017HT4Z применяется в мощных источниках питания, DC-DC преобразователях, драйверах и инверторах, используемых в майнинговых установках. Его высокая токовая нагрузка, низкое сопротивление канала и термостабильность обеспечивают надёжную работу оборудования при круглосуточной эксплуатации.

Преимущества

  • Высокое рабочее напряжение — до 600 В
  • Корпус TO-247 — надёжный теплоотвод и механическая прочность
  • Низкое сопротивление канала — минимальные потери
  • Подходит для импульсных и высокочастотных режимов
  • Устойчивость к лавинным нагрузкам и перегреву

OSG60R017HT4Z — это надёжный силовой транзистор для построения энергоэффективных решений в майнинге, промышленной автоматике и источниках питания высокой мощности.