Транзистор ATSCM60G65W (TO-247-4)

ATSCM60G65W — это высокоэффективный N-канальный SiC MOSFET транзистор, выполненный в корпусе TO-247-4, предназначенный для работы в силовых цепях с напряжением до 650 В и током до 51 А. Благодаря технологии карбида кремния (SiC), он обеспечивает минимальные потери, высокую частоту переключения и надёжную работу при экстремальных нагрузках.

Ключевые характеристики

• Тип: N-канальный SiC MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток: 650 В
• Максимальный ток стока: 51 А
• Корпус: TO-247-4, с дополнительным выводом Kelvin Source
• Сопротивление открытого канала: 59 мОм
• Мощность рассеяния: до 200 Вт
• Температурный диапазон: от –55°C до +175°C

Применение в майнинге

ATSCM60G65W применяется в мощных источниках питания, DC-DC преобразователях, инверторах и драйверах, используемых в майнинговых установках. Технология SiC позволяет достичь высокой эффективности, снижая тепловые потери и повышая надёжность оборудования при круглосуточной эксплуатации.

Преимущества

• Высокое рабочее напряжение — до 650 В
• Корпус TO-247-4 — надёжный теплоотвод и контроль затвора
• Технология SiC — высокая частота и термостабильность
• Подходит для импульсных и высокочастотных режимов
• Совместимость с промышленными стандартами монтажа

ATSCM60G65W — это надёжный SiC транзистор для построения энергоэффективных решений в майнинге, промышленной автоматике и источниках питания высокой мощности.