BAZABTC

Транзистор BL3N1K5B (TO-263) 3N1K5B

Article: 17869

DatasheetRead onlineDownload PDF
● In stock: 57 pcs.Dispatch today when ordered by 17:00 Moscow time
Warehouse

Price

303 ₽

Bonuses

+ 6 Б

VAT 5%More details

VAT is already included

The order total already includes VAT.

Order total
303.00 ₽
Total before VAT
288.57 ₽

Price and availability are current for the selected option.

Warranty termsPlease check the terms for this item.

Description

BL3N1K5B — это высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор, выполненный в корпусе TO-263 (D2PAK), предназначенный для поверхностного монтажа. Он оптимален для применения в майнинговых блоках питания, драйверах, инверторах и других силовых схемах, где важны надёжность, термостабильность и устойчивость к перегрузкам.

Ключевые характеристики

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Маркировка: 3N1K5B
  • Максимальное напряжение сток-исток: 1500 В
  • Максимальный ток стока: 3 А
  • Корпус: TO-263 (D2PAK), для поверхностного монтажа
  • Сопротивление открытого канала: около 5.5 Ом
  • Мощность рассеяния: до 45 Вт
  • Температурный диапазон: от –55°C до +150°C

Применение в майнинге

BL3N1K5B применяется в схемах управления питанием, преобразователях напряжения, синхронных выпрямителях и коммутационных блоках. Благодаря высокому напряжению пробоя и надёжному корпусу, он обеспечивает стабильную работу оборудования при длительной эксплуатации и высоких нагрузках.

Преимущества

  • Высокое напряжение до 1500 В — подходит для силовых цепей
  • Корпус TO-263 — эффективный теплоотвод и компактность
  • Низкое сопротивление канала — минимальные потери
  • Подходит для поверхностного монтажа
  • Устойчивость к перегреву и лавинным нагрузкам

BL3N1K5B — это надёжный транзистор для построения энергоэффективных решений в майнинге, источниках питания и промышленных системах управления.