BAZABTC

Транзистор ATSCM60G65W (TO-247-4)

Article: 19681

DatasheetRead onlineDownload PDF
● Out of stockLead time on request Send a request and we will confirm the next shipment.
Warehouse

Price

588 ₽

Bonuses

+ 12 Б

VAT 5%More details

VAT is already included

The order total already includes VAT.

Order total
588.00 ₽
Total before VAT
560.00 ₽

Price and availability are current for the selected option.

Warranty termsPlease check the terms for this item.

Description

ATSCM60G65W — это высокоэффективный N-канальный SiC MOSFET транзистор, выполненный в корпусе TO-247-4, предназначенный для работы в силовых цепях с напряжением до 650 В и током до 51 А. Благодаря технологии карбида кремния (SiC), он обеспечивает минимальные потери, высокую частоту переключения и надёжную работу при экстремальных нагрузках.

Ключевые характеристики

  • Тип: N-канальный SiC MOSFET
  • Максимальное напряжение сток-исток: 650 В
  • Максимальный ток стока: 51 А
  • Корпус: TO-247-4, с дополнительным выводом Kelvin Source
  • Сопротивление открытого канала: 59 мОм
  • Мощность рассеяния: до 200 Вт
  • Температурный диапазон: от –55°C до +175°C

Применение в майнинге

ATSCM60G65W применяется в мощных источниках питания, DC-DC преобразователях, инверторах и драйверах, используемых в майнинговых установках. Технология SiC позволяет достичь высокой эффективности, снижая тепловые потери и повышая надёжность оборудования при круглосуточной эксплуатации.

Преимущества

  • Высокое рабочее напряжение — до 650 В
  • Корпус TO-247-4 — надёжный теплоотвод и контроль затвора
  • Технология SiC — высокая частота и термостабильность
  • Подходит для импульсных и высокочастотных режимов
  • Совместимость с промышленными стандартами монтажа

ATSCM60G65W — это надёжный SiC транзистор для построения энергоэффективных решений в майнинге, промышленной автоматике и источниках питания высокой мощности.