BAZABTC

Транзистор OSG60R017HT4Z (TO-247) 600 В 116 А

Article: 20365

DatasheetRead onlineDownload PDF
● In stock: 81 pcs.Dispatch today when ordered by 17:00 Moscow time
Warehouse

Price

725 ₽

Bonuses

+ 15 Б

VAT 5%More details

VAT is already included

The order total already includes VAT.

Order total
725.00 ₽
Total before VAT
690.48 ₽

Price and availability are current for the selected option.

Warranty termsPlease check the terms for this item.

Description

OSG60R017HT4Z — это высокоэффективный N-канальный MOSFET транзистор, выполненный в корпусе TO-247, предназначенный для работы в силовых цепях с напряжением до 600 В и током до 120 А. Он разработан с применением технологии GreenMOS®, обеспечивающей минимальные потери при переключении и высокую устойчивость к лавинным нагрузкам.

Применяется на болоках питания Whatsminer P739A и P732A

Ключевые характеристики

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
  • Максимальный ток стока: 120 А
  • Корпус: TO-247, с мощной теплоотводящей площадкой
  • Сопротивление открытого канала: около 17 мОм
  • Мощность рассеяния: до 312 Вт (при хорошем теплоотводе)
  • Температурный диапазон: от –55°C до +150°C

Применение в майнинге

OSG60R017HT4Z применяется в мощных источниках питания, DC-DC преобразователях, драйверах и инверторах, используемых в майнинговых установках. Его высокая токовая нагрузка, низкое сопротивление канала и термостабильность обеспечивают надёжную работу оборудования при круглосуточной эксплуатации.

Преимущества

  • Высокое рабочее напряжение — до 600 В
  • Корпус TO-247 — надёжный теплоотвод и механическая прочность
  • Низкое сопротивление канала — минимальные потери
  • Подходит для импульсных и высокочастотных режимов
  • Устойчивость к лавинным нагрузкам и перегреву

OSG60R017HT4Z — это надёжный силовой транзистор для построения энергоэффективных решений в майнинге, промышленной автоматике и источниках питания высокой мощности.