BAZABTC

Транзистор UJ3C120080K3S (TO-247-3L) 1200 В, 77 А

Article: 2117

DatasheetRead onlineDownload PDF
● Out of stockLead time on request Send a request and we will confirm the next shipment.
Warehouse

Price

3,276 ₽

Bonuses

+ 66 Б

VAT 5%More details

VAT is already included

The order total already includes VAT.

Order total
3,276.00 ₽
Total before VAT
3,120.00 ₽

Price and availability are current for the selected option.

Warranty termsPlease check the terms for this item.

Description

UJ3C120080K3S — это высоковольтный SiC MOSFET (карбид кремния), рассчитанный на напряжение до 1200 В и низкое сопротивление открытого канала. Компонент обеспечивает сверхвысокую скорость переключения, минимальные коммутационные потери и повышенную термостойкость по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET.

В майнинговом оборудовании UJ3C120080K3S применяется в мощных блоках питания ASIC-майнеров, PFC-модулях, LLC-резонансных преобразователях, высоковольтных DC-DC модулях и инверторах. Благодаря технологии SiC транзистор обеспечивает максимальную энергоэффективность, низкий нагрев и стабильную работу при круглосуточной эксплуатации.

Назначение:

  • Высокомощные импульсные источники питания (SMPS).
  • PFC-каскады и AC-DC преобразователи.
  • LLC-резонансные и высокочастотные топологии.
  • Силовые модули ASIC-майнеров.
  • Инверторы и драйверы силовых ключей.

Технические характеристики (обобщённо):

  • Тип: SiC N-канальный MOSFET.
  • Максимальное напряжение: 1200 В.
  • Низкое сопротивление Rds(on) при высокой температуре.
  • Высокая скорость переключения.
  • Минимальные коммутационные потери.
  • Устойчивость к перегреву и импульсным нагрузкам.

Преимущества UJ3C120080K3S:

  • Технология SiC — максимальная энергоэффективность.
  • Минимальный нагрев при высокой нагрузке.
  • Сверхвысокая надёжность при 24/7 эксплуатации.
  • Идеален для высоковольтных и высокочастотных схем.
  • Повышенная долговечность по сравнению с Si‑MOSFET.

Применение в майнинге:

  • Силовые каскады блоков питания ASIC-майнеров.
  • Высоковольтные DC-DC модули.
  • PFC-модули и коррекция коэффициента мощности.
  • LLC‑резонансные преобразователи.
  • Ремонт и модернизация мощных PSU.

UJ3C120080K3S — это высокоэффективный SiC MOSFET промышленного уровня, идеально подходящий для майнинговых систем, серверных блоков питания и высоконагруженной электроники, где критически важны стабильность, энергоэффективность и минимальные потери.