Транзистор ATSCM45G65W (TO-247-4)

Article: 24459

● Out of stockLead time on request Send a request and we will confirm the next shipment.

Stock and price by warehouse

  • Склад №1

    Out of stock

  • Склад №2

    Out of stock

Price

588 ₽

Bonuses

+ 12 Б

Price and availability are current for the selected option.

Warranty termsPlease check the terms for this item.

Description

ATSCM45G65W — это высокоэффективный SiC MOSFET транзистор, предназначенный для работы в силовых цепях с напряжением до 650 В и током до 45 А. Корпус TO-247-4 с отдельным выводом гейта обеспечивает надёжный теплоотвод и точное управление переключением, что делает компонент оптимальным для применения в майнинговых блоках питания, инверторах и промышленных преобразователях.

Ключевые характеристики

  • Тип: N-канальный SiC MOSFET
  • Максимальное напряжение сток-исток: 650 В
  • Максимальный ток стока: 45 А
  • Корпус: TO-247-4 с отдельным выводом гейта
  • Сопротивление открытого канала: менее 80 мОм
  • Температурный диапазон: от –55°C до +175°C

Применение в майнинге

ATSCM45G65W применяется в силовых участках майнинговых плат, DC-DC преобразователях, драйверах и инверторах. Благодаря технологии карбида кремния (SiC), транзистор обеспечивает минимальные потери при переключении, высокую термостабильность и устойчивость к перегрузкам, что критично для круглосуточной эксплуатации.

Преимущества

  • Технология SiC — высокая эффективность и надёжность
  • Корпус TO-247-4 — улучшенное управление гейтом и теплоотвод
  • Подходит для высокочастотных и импульсных режимов
  • Совместимость с промышленными стандартами монтажа
  • Устойчивость к перегреву и лавинным нагрузкам

ATSCM45G65W — это надёжный силовой транзистор нового поколения для построения энергоэффективных решений в майнинге и промышленной электронике.