BAZABTC

Транзистор AP4N1R8CMT-A (SO-8)

Article: 2663

DatasheetRead onlineDownload PDF
● In stock: 73 pcs.Dispatch today when ordered by 17:00 Moscow time
Warehouse

Price

104 ₽

Bonuses

+ 2 Б

VAT 5%More details

VAT is already included

The order total already includes VAT.

Order total
104.00 ₽
Total before VAT
99.05 ₽

Price and availability are current for the selected option.

Warranty termsPlease check the terms for this item.

Description

AP4N1R8CMT-A — это высокоэффективный N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии Enhancement Mode, обеспечивающей низкое сопротивление открытого канала и высокую скорость переключения. Корпус SO-8 с тепловым контактом на обратной стороне делает его идеальным для применения в компактных DC-DC преобразователях, драйверах и силовых узлах майнингового оборудования.

Ключевые характеристики

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Максимальное напряжение сток-исток: 45 В
  • Максимальный ток стока: до 40 А
  • Сопротивление открытого канала: 1.8 мОм при Vgs = 10 В
  • Корпус: SO-8 с тепловым контактом (PMPAK-5x6)
  • Технология: Enhancement Mode
  • Быстрое переключение, низкий заряд затвора
  • Температурный диапазон: от –55°C до +150°C

Применение в майнинге

Транзистор AP4N1R8CMT-A применяется в DC-DC преобразователях, синхронных выпрямителях, драйверах и системах управления питанием, используемых в майнинговых блоках и платах. Благодаря высокой плотности тока, низким потерям и компактному корпусу, он обеспечивает стабильную работу оборудования в условиях круглосуточной эксплуатации. Особенно актуален для ремонта и сборки источников питания ASIC-майнеров, GPU-ферм и серверных решений.

Преимущества

  • Сверхнизкое сопротивление открытого канала
  • Компактный корпус с эффективным теплоотводом
  • Высокая скорость переключения
  • Надёжная работа при высоких токах и температурах
  • Совместимость с автоматизированной пайкой