BAZABTC

Транзистор CRXQ160M120G1 (TO-247)

Article: 27763

DatasheetRead onlineDownload PDF
● In stock: 24 pcs.Dispatch today when ordered by 17:00 Moscow time
Warehouse

Price

393 ₽

Bonuses

+ 8 Б

VAT 5%More details

VAT is already included

The order total already includes VAT.

Order total
393.00 ₽
Total before VAT
374.29 ₽

Price and availability are current for the selected option.

Warranty termsPlease check the terms for this item.

Description

CRXQ160M120G1 — это мощный N-канальный SiC MOSFET транзистор, предназначенный для работы в высоковольтных силовых цепях. Корпус TO-247 обеспечивает надёжный теплоотвод и устойчивость к перегрузкам, что делает компонент идеальным для применения в майнинговых блоках питания, инверторах и промышленных преобразователях.

Ключевые характеристики

  • Тип: N-канальный SiC MOSFET
  • Максимальное напряжение сток-исток: 1200 В
  • Максимальный ток стока: 160 А
  • Корпус: TO-247, с теплоотводящей площадкой
  • Сопротивление открытого канала: менее 8 мОм
  • Температурный диапазон: от –55°C до +175°C

Применение в майнинге

CRXQ160M120G1 применяется в силовых участках майнинговых плат, DC-DC преобразователях, драйверах и инверторах. Благодаря технологии карбида кремния (SiC), транзистор обеспечивает минимальные потери при переключении, высокую термостабильность и устойчивость к перегрузкам, что критично для круглосуточной эксплуатации.

Преимущества

  • Технология SiC — высокая эффективность и надёжность
  • Корпус TO-247 — надёжный теплоотвод и механическая прочность
  • Подходит для высокочастотных и импульсных режимов
  • Совместимость с промышленными стандартами монтажа
  • Устойчивость к перегреву и лавинным нагрузкам

CRXQ160M120G1 — это надёжный силовой транзистор нового поколения для построения энергоэффективных решений в майнинге и промышленной электронике.