BAZABTC

Транзистор 2SD809 (TO-126) 50 В 1 А

Article: 31903

DatasheetRead onlineDownload PDF
● In stock: 3 pcs.Dispatch today when ordered by 17:00 Moscow time

Stock and price by warehouse

  • Склад №1

    In stock: 3

    108 ₽

    per item

    Dispatch today when ordered by 17:00 Moscow time

    VAT 5%More details

    VAT is already included

    The order total already includes VAT.

    Order total
    108.00 ₽
    Total before VAT
    102.86 ₽

  • Склад №2

    Out of stock

We will add this item from Склад №1.

Price · Склад №1

108 ₽

Bonuses

+ 2 Б

Price and availability are current for the selected option.

Warranty termsPlease check the terms for this item.

Description

2SD809 — это кремниевый NPN-биполярный транзистор средней мощности, предназначенный для работы в цепях усиления и коммутации. Корпус TO-126 обеспечивает надёжный теплоотвод и удобство монтажа, что делает компонент подходящим для применения в драйверах, стабилизаторах и вспомогательных цепях майнингового оборудования.

Ключевые характеристики

  • Тип: NPN-биполярный транзистор
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 80 В
  • Максимальный ток коллектора: 3 А
  • Корпус: TO-126, с теплоотводящей площадкой
  • Коэффициент усиления по току (hFE): от 40 до 320
  • Максимальная рассеиваемая мощность: до 20 Вт
  • Температурный диапазон: от –55°C до +150°C

Применение в майнинге

2SD809 используется в схемах управления вентилятором, стабилизации напряжения, коммутации реле и других вспомогательных цепях майнинговых установок. Благодаря высокой надёжности и компактному корпусу, он подходит для длительной эксплуатации в условиях повышенной нагрузки.

Преимущества

  • Надёжная работа при средних токах и напряжениях
  • Компактный корпус TO-126 с возможностью отвода тепла
  • Подходит для линейных и импульсных режимов
  • Совместимость с промышленными стандартами монтажа
  • Широкий температурный диапазон эксплуатации

2SD809 — это универсальный транзистор для построения надёжных и компактных решений в майнинговой и промышленной электронике.