BAZABTC

Транзистор IXFT50N60P3 (TO-268)

Article: 31953

DatasheetRead onlineDownload PDF
● In stock: 9 pcs.Dispatch today when ordered by 17:00 Moscow time
Warehouse

Price

1,039 ₽

Bonuses

+ 21 Б

VAT 5%More details

VAT is already included

The order total already includes VAT.

Order total
1,039.00 ₽
Total before VAT
989.52 ₽

Price and availability are current for the selected option.

Warranty termsPlease check the terms for this item.

Description

IXFT50N60P3 — это высокоэффективный N-канальный MOSFET транзистор, разработанный по технологии PolarP3, обеспечивающей низкие потери при переключении и высокую устойчивость к перегрузкам. Корпус TO-268 (D3PAK) предназначен для поверхностного монтажа и обеспечивает надёжный теплоотвод, что делает компонент оптимальным для применения в силовых схемах майнингового оборудования.

Ключевые характеристики

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
  • Максимальный ток стока: 50 А
  • Корпус: TO-268 (D3PAK), для SMD монтажа
  • Сопротивление открытого канала: 0.145 Ом
  • Мощность рассеяния: до 1040 Вт
  • Заряд затвора: 94 нКл
  • Температурный диапазон: от –55°C до +150°C

Применение в майнинге

IXFT50N60P3 применяется в источниках питания, драйверах, инверторах и преобразователях напряжения, используемых в майнинговых установках. Благодаря высокой коммутируемой мощности и термостабильности, он обеспечивает стабильную работу оборудования при круглосуточной нагрузке.

Преимущества

  • Высокое рабочее напряжение — до 600 В
  • Корпус TO-268 — надёжный теплоотвод и компактность
  • Подходит для импульсных и высокочастотных режимов
  • Совместимость с промышленными стандартами поверхностного монтажа
  • Устойчивость к перегреву и лавинным нагрузкам

IXFT50N60P3 — это надёжный силовой транзистор для построения энергоэффективных решений в майнинге и промышленной электронике.