Транзистор IXFT50N60P3 (TO-268)

Article: 31953

● In stock: 9 pcs.Dispatch today when ordered by 17:00 Moscow time

Stock and price by warehouse

  • Склад №1

    In stock: 9

    1,039 ₽

    per item

    Dispatch today when ordered by 17:00 Moscow time

    VAT 5%More details

    VAT is already included

    The order total already includes VAT.

    Order total
    1,039.00 ₽
    Total before VAT
    989.52 ₽
  • Склад №2

    Out of stock

We will add this item from Склад №1.

Price · Склад №1

1,039 ₽

Bonuses

+ 21 Б

Price and availability are current for the selected option.

Warranty termsPlease check the terms for this item.

Description

IXFT50N60P3 — это высокоэффективный N-канальный MOSFET транзистор, разработанный по технологии PolarP3, обеспечивающей низкие потери при переключении и высокую устойчивость к перегрузкам. Корпус TO-268 (D3PAK) предназначен для поверхностного монтажа и обеспечивает надёжный теплоотвод, что делает компонент оптимальным для применения в силовых схемах майнингового оборудования.

Ключевые характеристики

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
  • Максимальный ток стока: 50 А
  • Корпус: TO-268 (D3PAK), для SMD монтажа
  • Сопротивление открытого канала: 0.145 Ом
  • Мощность рассеяния: до 1040 Вт
  • Заряд затвора: 94 нКл
  • Температурный диапазон: от –55°C до +150°C

Применение в майнинге

IXFT50N60P3 применяется в источниках питания, драйверах, инверторах и преобразователях напряжения, используемых в майнинговых установках. Благодаря высокой коммутируемой мощности и термостабильности, он обеспечивает стабильную работу оборудования при круглосуточной нагрузке.

Преимущества

  • Высокое рабочее напряжение — до 600 В
  • Корпус TO-268 — надёжный теплоотвод и компактность
  • Подходит для импульсных и высокочастотных режимов
  • Совместимость с промышленными стандартами поверхностного монтажа
  • Устойчивость к перегреву и лавинным нагрузкам

IXFT50N60P3 — это надёжный силовой транзистор для построения энергоэффективных решений в майнинге и промышленной электронике.