Транзистор SPW32N50C3 (TO-247)

Транзистор SPW32N50C3 (TO-247) — это мощный N-канальный полевой MOSFET, выполненный по передовой технологии CoolMOS C3 от Infineon Technologies. Данная серия специально разработана для приложений, где требуются высокое напряжение пробоя и минимальное сопротивление открытого канала. Компонент предназначен для использования в ключевых режимах работы на высоких частотах, обеспечивая рекордную эффективность преобразования энергии.

В майнинговом оборудовании SPW32N50C3 применяется в выходных каскадах мощных блоков питания, активных корректорах коэффициента мощности (PFC) и в инверторных звеньях. Низкое сопротивление открытого канала (0.16 Ом) и малый заряд затвора делают его идеальным выбором для замены вышедших из строя транзисторов в блоках питания Antminer, Whatsminer и других ASIC-майнеров. Применение данного транзистора критически важно для обеспечения КПД импульсного источника питания, работающего в режиме 24/7.

Назначение:

• Силовые ключи в импульсных блоках питания ASIC-майнеров.
• Применение в активных корректорах коэффициента мощности (PFC) мощностью от 1500 Вт.
• Использование в инверторных звеньях блоков питания первичной сети.
• Замена вышедших из строя MOSFET в ремонтируемых блоках питания Antminer, Whatsminer, Avalon.

Технические характеристики:

• Модель: SPW32N50C3.
• Производитель: Infineon Technologies.
• Тип: N-канальный MOSFET.
• Корпус: TO-247.
• Напряжение сток-исток (VDSS): 560 В.
• Ток стока (ID): 32 А (при TC=25°C).
• Импульсный ток стока (IDM): 128 А.
• Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 0.16 Ом (типовое).
• Рассеиваемая мощность (Ptot): 250 Вт.
• Заряд затвора (QG): 108 нКл.
• Входная емкость (Ciss): 3300 пФ.
• Выходная емкость (Coss): 260 пФ.
• Проходная емкость (Crss): 28 пФ.
• Время задержки включения (td(on)): 13 нс.
• Время нарастания (tr): 18 нс.
• Время задержки выключения (td(off)): 130 нс.
• Время спада (tf): 27 нс.
• Рабочая температура перехода (Tj): от -55 до +150 °C.

Конструктивные особенности:

• Корпус TO-247 с размерами 15.9×5.0 мм.
• Высота корпуса с выводами: 20.3 мм.
• Вес компонента: 0.0061 кг (6.1 грамма).
• Прочный пластиковый корпус с металлической подложкой для отвода тепла.
• Расстояние между выводами: 5.45 мм.

Особенности:

• Технология CoolMOS C3 обеспечивает рекордно низкое сопротивление канала при высоком напряжении.
• Низкий заряд затвора и низкие емкости снижают динамические потери.
• Высокая стойкость к лавинному пробою (EAS) для надежной работы в импульсных режимах.
• Широкая область безопасной работы (SOA).

Рекомендации по применению:

• Для управления транзистором использовать драйвер затвора с выходным током не менее 3А.
• Обязательно установить снабберную цепь для подавления выбросов напряжения.
• Для отвода тепла использовать радиатор с принудительным обдувом.
• Резистор в цепи затвора подбирать в диапазоне 5-20 Ом.

SPW32N50C3 — это высокопроизводительный MOSFET для блоков питания майнингового оборудования. Технология CoolMOS C3 обеспечивает низкое сопротивление и малые потери, что делает его отличным выбором для ремонта и модернизации импульсных источников питания ASIC-майнеров.