BAZABTC

Транзистор SPW32N50C3 (TO-247)

Article: 3217

● In stock: 30 pcs.Dispatch today when ordered by 17:00 Moscow time

Stock and price by warehouse

  • Склад №1

    In stock: 30

    324 ₽

    per item

    Dispatch today when ordered by 17:00 Moscow time

    VAT 5%More details

    VAT is already included

    The order total already includes VAT.

    Order total
    324.00 ₽
    Total before VAT
    308.57 ₽

  • Склад №2

    Out of stock

We will add this item from Склад №1.

Price · Склад №1

324 ₽

Bonuses

+ 6 Б

Price and availability are current for the selected option.

Warranty termsPlease check the terms for this item.

Description

Транзистор SPW32N50C3 (TO-247) — это мощный N-канальный полевой MOSFET, выполненный по передовой технологии CoolMOS C3 от Infineon Technologies. Данная серия специально разработана для приложений, где требуются высокое напряжение пробоя и минимальное сопротивление открытого канала. Компонент предназначен для использования в ключевых режимах работы на высоких частотах, обеспечивая рекордную эффективность преобразования энергии.

В майнинговом оборудовании SPW32N50C3 применяется в выходных каскадах мощных блоков питания, активных корректорах коэффициента мощности (PFC) и в инверторных звеньях. Низкое сопротивление открытого канала (0.16 Ом) и малый заряд затвора делают его идеальным выбором для замены вышедших из строя транзисторов в блоках питания Antminer, Whatsminer и других ASIC-майнеров. Применение данного транзистора критически важно для обеспечения КПД импульсного источника питания, работающего в режиме 24/7.

Назначение:

  • Силовые ключи в импульсных блоках питания ASIC-майнеров.
  • Применение в активных корректорах коэффициента мощности (PFC) мощностью от 1500 Вт.
  • Использование в инверторных звеньях блоков питания первичной сети.
  • Замена вышедших из строя MOSFET в ремонтируемых блоках питания Antminer, Whatsminer, Avalon.

Технические характеристики:

  • Модель: SPW32N50C3.
  • Производитель: Infineon Technologies.
  • Тип: N-канальный MOSFET.
  • Корпус: TO-247.
  • Напряжение сток-исток (VDSS): 560 В.
  • Ток стока (ID): 32 А (при TC=25°C).
  • Импульсный ток стока (IDM): 128 А.
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 0.16 Ом (типовое).
  • Рассеиваемая мощность (Ptot): 250 Вт.
  • Заряд затвора (QG): 108 нКл.
  • Входная емкость (Ciss): 3300 пФ.
  • Выходная емкость (Coss): 260 пФ.
  • Проходная емкость (Crss): 28 пФ.
  • Время задержки включения (td(on)): 13 нс.
  • Время нарастания (tr): 18 нс.
  • Время задержки выключения (td(off)): 130 нс.
  • Время спада (tf): 27 нс.
  • Рабочая температура перехода (Tj): от -55 до +150 °C.

Конструктивные особенности:

  • Корпус TO-247 с размерами 15.9×5.0 мм.
  • Высота корпуса с выводами: 20.3 мм.
  • Вес компонента: 0.0061 кг (6.1 грамма).
  • Прочный пластиковый корпус с металлической подложкой для отвода тепла.
  • Расстояние между выводами: 5.45 мм.

Особенности:

  • Технология CoolMOS C3 обеспечивает рекордно низкое сопротивление канала при высоком напряжении.
  • Низкий заряд затвора и низкие емкости снижают динамические потери.
  • Высокая стойкость к лавинному пробою (EAS) для надежной работы в импульсных режимах.
  • Широкая область безопасной работы (SOA).

Рекомендации по применению:

  • Для управления транзистором использовать драйвер затвора с выходным током не менее 3А.
  • Обязательно установить снабберную цепь для подавления выбросов напряжения.
  • Для отвода тепла использовать радиатор с принудительным обдувом.
  • Резистор в цепи затвора подбирать в диапазоне 5-20 Ом.

SPW32N50C3 — это высокопроизводительный MOSFET для блоков питания майнингового оборудования. Технология CoolMOS C3 обеспечивает низкое сопротивление и малые потери, что делает его отличным выбором для ремонта и модернизации импульсных источников питания ASIC-майнеров.