BAZABTC

Транзистор IPP60R099C6 (TO-220)

Article: 3345

DatasheetRead onlineDownload PDF
● Out of stockLead time on request Send a request and we will confirm the next shipment.
Warehouse

Price

761 ₽

Bonuses

+ 15 Б

VAT 5%More details

VAT is already included

The order total already includes VAT.

Order total
761.00 ₽
Total before VAT
724.76 ₽

Price and availability are current for the selected option.

Warranty termsPlease check the terms for this item.

Description

Транзистор IPP60R099C6 (TO-220) — это N-канальный силовой MOSFET от Infineon серии CoolMOS C6. Технология супер-джанкшен обеспечивает низкое сопротивление открытого канала 99 мОм при напряжении 600В. Оптимизирован для высокочастотных импульсных источников питания, активных PFC и инверторов.

В майнинговом оборудовании IPP60R099C6 применяется в первичных цепях мощных блоков питания ASIC-майнеров (Antminer, Whatsminer). Используется в PFC-преобразователях и LLC-топологиях. Низкое сопротивление и высокая скорость переключения минимизируют тепловыделение и повышают КПД.

Назначение:

  • Силовые ключи в активных корректорах коэффициента мощности (PFC).
  • Применение в высокочастотных импульсных источниках питания.
  • Использование в резонансных (LLC) топологиях.
  • Замена вышедших из строя MOSFET в блоках питания майнеров.

Технические характеристики:

  • Модель: IPP60R099C6.
  • Производитель: Infineon Technologies.
  • Серия: CoolMOS C6.
  • Тип: N-канальный MOSFET.
  • Технология: Super Junction.
  • Корпус: TO-220.
  • Напряжение сток-исток: 600 В.
  • Ток стока: 37.9 А.
  • Сопротивление открытого канала: 0.099 Ом (99 мОм).
  • Заряд затвора: 119 нКл.
  • Входная емкость: 2660 пФ.
  • Рассеиваемая мощность: 278 Вт.
  • Рабочая температура: -55…+150 °C.

Конструктивные особенности:

  • Корпус TO-220, размеры 10.65×4.85×16.15 мм.
  • Вес компонента: 0.0025 кг (2.5 грамма).
  • Прочный пластиковый корпус с металлической подложкой.

Особенности:

  • Низкое сопротивление канала 99 мОм.
  • Высокая скорость переключения.
  • Устойчивость к лавинному пробою.
  • Энергоэффективность.

Рекомендации по применению:

  • Обеспечить напряжение затвора ≥10 В.
  • Использовать термопасту при монтаже на радиатор.
  • Момент затяжки винта: 0.8…1.2 Н·м.
  • Применять снабберные цепи для подавления выбросов.

IPP60R099C6 — высокоэффективный MOSFET для блоков питания ASIC-майнеров. Технология CoolMOS C6 обеспечивает низкое тепловыделение и высокую надежность.