BAZABTC

Транзистор G1N65R035TB-N (TO-247)

Article: 3363

DatasheetRead onlineDownload PDF
● In stock: 26 pcs.Dispatch today when ordered by 17:00 Moscow time
Warehouse

Price

473 ₽

Bonuses

+ 9 Б

VAT 5%More details

VAT is already included

The order total already includes VAT.

Order total
473.00 ₽
Total before VAT
450.48 ₽

Price and availability are current for the selected option.

Warranty termsPlease check the terms for this item.

Description

G1N65R035TB

650V 46,5A

G1N65R035TB-N — мощный N-канальный MOSFET в корпусе TO-247, предназначенный для работы в высоковольтных и высокотоковых силовых цепях. Обеспечивает надёжную коммутацию при напряжении до 650 В и токе до 80 А, что делает его отличным выбором для майнинговых блоков питания, инверторов, драйверов и других промышленных устройств с высокой нагрузкой.

Ключевые характеристики

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Корпус: TO-247 с теплоотводящей площадкой
  • Максимальное напряжение сток-исток: 650 В
  • Максимальный ток стока: 80 А
  • Сопротивление открытого канала RDS(on): 0.035 Ом
  • Максимальная мощность рассеивания: до 300 Вт при установке на радиатор
  • Температурный диапазон: от -55°C до +150°C

Преимущества

  • Низкие потери при переключении
  • Высокая надёжность при работе в условиях повышенной нагрузки
  • Удобный монтаж на радиатор через отверстие в корпусе
  • Совместимость с драйверами силовых транзисторов
  • Gan, GaNext

Применение

Рекомендуется для использования в майнинговых фермах, источниках питания с высоким КПД, DC-DC и AC-DC преобразователях, драйверах двигателей, промышленных инверторах и других силовых устройствах, где требуется стабильная работа при высоком напряжении и токе.