Транзистор FGH60N60SMD (TO-247)

Article: 34137

● Out of stockLead time on request Send a request and we will confirm the next shipment.
Warehouse

Price

524 ₽

Bonuses

+ 10 Б

VAT 5%More details

VAT is already included

The order total already includes VAT.

Order total
524.00 ₽
Total before VAT
499.05 ₽

Price and availability are current for the selected option.

Warranty termsPlease check the terms for this item.

Description

FGH60N60SMD — это мощный IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor) от ON Semiconductor, предназначенный для работы в высоковольтных и высокотоковых силовых схемах. Корпус TO-247 обеспечивает надёжный теплоотвод, что делает его идеальным выбором для применения в инверторах, источниках питания и майнинговых фермах, где требуется стабильная работа при больших нагрузках.

Ключевые характеристики

  • Тип: IGBT с мягким выключением (Soft Switching)
  • Корпус: TO-247 — для мощных приложений с эффективным теплоотводом
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
  • Максимальный ток коллектора: до 120 А при импульсной нагрузке
  • Низкие потери при включении и выключении — высокая эффективность
  • Подходит для работы на частотах до 30–50 кГц

Преимущества для майнинга

  • Надёжная работа при высоких токах и напряжениях — стабильность 24/7
  • Эффективный теплоотвод — минимизация перегрева в условиях интенсивной нагрузки
  • Подходит для силовых инверторов и блоков питания ASIC-майнеров
  • Устойчивость к перегрузкам и переходным процессам

Области применения

  • Инверторы и преобразователи напряжения
  • Импульсные блоки питания высокой мощности
  • Майнинговые установки с ASIC и GPU
  • Сварочные аппараты и промышленные драйверы
  • Системы бесперебойного питания (UPS)

Особенности монтажа

  • Сквозной монтаж (THT), корпус TO-247 с металлическим радиаторным фланцем
  • Рекомендуется установка на радиатор с термопастой
  • Надёжное крепление винтом или зажимом для стабильного теплового контакта
  • Минимизация паразитных индуктивностей при разводке силовых дорожек