Транзистор TPH2R506PL, L1Q (SOP-8) 60 В, 100 А

Article: 34327

● Out of stockLead time on request Send a request and we will confirm the next shipment.

Product image is being prepared

Warehouse

Price

132 ₽

Bonuses

+ 3 Б

VAT 5%More details

VAT is already included

The order total already includes VAT.

Order total
132.00 ₽
Total before VAT
125.71 ₽

Price and availability are current for the selected option.

Warranty termsPlease check the terms for this item.

Description

TPH2R506PL — это мощный N-канальный MOSFET от Toshiba, выполненный в корпусе SOP-8 с улучшенными тепловыми характеристиками. Он предназначен для применения в силовых цепях, включая DC-DC преобразователи, VRM-модули и блоки питания, используемые в майнинговом оборудовании. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала и высокой скорости переключения, транзистор обеспечивает эффективную работу при высоких токах и минимальных потерях.

Ключевые характеристики

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Корпус: SOP-8 с термопадом для улучшенного теплоотвода
  • Низкое сопротивление RDS(on): около 2.5 мОм при VGS = 10 В
  • Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
  • Максимальный ток стока: до 100 А при соответствующем теплоотводе
  • Низкий заряд затвора — высокая скорость переключения

Преимущества для майнинга

  • Высокая эффективность преобразования энергии — меньше тепловых потерь
  • Надёжная работа при высоких токах — подходит для питания GPU и ASIC
  • Компактный корпус SOP-8 — экономия пространства на плате
  • Устойчивость к перегрузкам и температурным колебаниям — стабильность 24/7

Области применения

  • Силовые ключи в DC-DC преобразователях
  • VRM-модули для видеокарт и процессоров
  • Блоки питания майнинговых ферм
  • Серверные и телекоммуникационные источники питания
  • Синхронные выпрямители и драйверы моторов

Особенности монтажа

  • Поверхностный монтаж (SMD), корпус SOP-8 с термопадом
  • Рекомендуется пайка методом reflow
  • Обеспечение эффективного теплоотвода через медную площадку под термопадом
  • Минимизация паразитных индуктивностей при разводке платы