BAZABTC

Транзистор HYG01N04 A-G (DFN5x6) 40 В, 265 А

Article: 36145

DatasheetRead onlineDownload PDF
● In stock: 50 pcs.Dispatch today when ordered by 17:00 Moscow time
Warehouse

Price

93 ₽

Bonuses

+ 2 Б

VAT 5%More details

VAT is already included

The order total already includes VAT.

Order total
93.00 ₽
Total before VAT
88.57 ₽

Price and availability are current for the selected option.

Warranty termsPlease check the terms for this item.

Description

Транзистор HYG01N04A-G, 01N04  — это высокоэффективный N-канальный MOSFET, разработанный для применения в силовых цепях цифровых устройств, включая майнинговые установки. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала и высокой плотности тока, он идеально подходит для использования в блоках питания, DC-DC преобразователях и системах управления хэш-плат.

Спецификация:

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Корпус: DFN5x6 (поверхностный монтаж)
  • Максимальное напряжение сток-исток: 40 В
  • Максимальный ток стока: до 100 А (импульсный), до 30 А (непрерывный)
  • Сопротивление открытого канала RDS(on): менее 4 мОм при VGS = 10 В
  • Пороговое напряжение VGS(th): 1–2 В
  • Мощность рассеивания: до 50 Вт
  • Температурный диапазон: -55°C до +150°C

Характеристики:

  • Низкое сопротивление канала: минимизирует потери мощности и повышает эффективность работы схемы.
  • Компактный корпус DFN5x6: обеспечивает высокую плотность монтажа и улучшенную теплопередачу.
  • Высокая токовая нагрузка: транзистор способен выдерживать значительные импульсные токи, что критично для майнинговых блоков питания.
  • Широкий температурный диапазон: гарантирует стабильную работу в условиях перегрева и интенсивной эксплуатации.

Ключевые функции:

  • Силовые цепи майнеров: используется в цепях управления питанием ASIC и GPU-майнеров.
  • DC-DC преобразователи: обеспечивает эффективное преобразование напряжения с минимальными потерями.
  • Стабилизация питания: применяется в схемах защиты и стабилизации напряжения на хэш-платах.
  • Автоматизированный монтаж: совместим с SMT-технологией, что упрощает массовое производство плат.
  • 01N04

Транзистор HYG01N04A-G изготовлен по современной технологии с низким тепловым сопротивлением, что позволяет эффективно отводить тепло от кристалла. Это особенно важно в условиях непрерывной работы майнингового оборудования, где перегрев может привести к сбоям и снижению производительности.

При ремонте или апгрейде хэш-плат рекомендуется использовать оригинальные транзисторы с аналогичными характеристиками. Замена должна проводиться с соблюдением термопрофиля пайки и проверкой теплового режима, особенно при параллельной установке нескольких транзисторов.