Транзистор FNKG04N09E (DFN 5*6) 40 В, 80 А

Article: 37251

● Out of stockLead time on request Send a request and we will confirm the next shipment.
Warehouse

Price

221 ₽

Bonuses

+ 4 Б

VAT 5%More details

VAT is already included

The order total already includes VAT.

Order total
221.00 ₽
Total before VAT
210.48 ₽

Price and availability are current for the selected option.

Warranty termsPlease check the terms for this item.

Description

MOSFET транзистор FNKG04N09E (DFN 5x6) — это мощный N-канальный полевой транзистор, предназначенный для высокочастотных силовых коммутаций в цепях с большими токами. Компонент выполнен в компактном и низкопрофильном корпусе PDFN 5x6 (DFN5060, 8 выводов), который обеспечивает отличные тепловые характеристики благодаря широкой медной термоплощадке. Данный транзистор оптимизирован для синхронного выпрямления, DC-DC преобразования и управления нагрузками, критически важными для современного майнингового оборудования.

В контексте майнинга криптовалют транзистор FNKG04N09E применяется в выходных каскадах сверхмощных блоков питания (PSU) для ASIC-майнеров, в схемах OR-ing (резервирования питания) и в сильноточных DC-DC преобразователях, питающих хеш-платы. Благодаря сверхнизкому сопротивлению открытого канала (RDS(on) 0.9 мОм) и высокой токовой нагрузке (до 80 А), этот компонент минимизирует потери проводимости, снижает тепловыделение и повышает общий КПД блока питания, что напрямую влияет на рентабельность майнинга и стабильность работы в режиме 24/7.

Назначение:

  • Синхронный выпрямитель во вторичных цепях мощных блоков питания для ASIC-майнеров (Antminer, Whatsminer).
  • Ключевые элементы в DC-DC понижающих преобразователях, питающих хеш-платы.
  • Замена выходных MOSFET в цепях синхронного выпрямления (SR, Synchronous Rectification) при ремонте блоков питания.
  • Применение в системах резервного питания (OR-ing) и балансировки токов в майнинг-фермах.

Технические характеристики:

  • Модель: FNKG04N09E.
  • Тип: N-канальный полевой транзистор (N-Channel MOSFET).
  • Корпус: DFN 5x6 (PDFN5060-8L, PowerDFN 8 выводов).
  • Максимальное напряжение сток-исток (VDSS): 40 В.
  • Максимальный постоянный ток стока (ID): 80 А (при TC=25°C).
  • Импульсный ток стока (IDM): 320 А.
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 0.9 мОм (типовое) / 1.1 мОм (макс.) при VGS=10 В.
  • Напряжение затвор-исток (VGSS): ±20 В.
  • Рассеиваемая мощность (Ptot): 125 Вт (при TC=25°C).
  • Заряд затвора (QG): 65 нКл (типовое).
  • Входная емкость (Ciss): 3800 пФ (типовое).
  • Выходная емкость (Coss): 1230 пФ (типовое).
  • Проходная емкость (Crss): 380 пФ (типовое).
  • Время задержки включения (td(on)): 11 нс.
  • Время нарастания (tr): 14 нс.
  • Время задержки выключения (td(off)): 35 нс.
  • Время спада (tf): 12 нс.
  • Диапазон рабочих температур перехода (Tj): -55…+150 °C.
  • Тепловое сопротивление переход-корпус (RθJC): 1.0 °C/Вт.

Конструктивные особенности:

  • Корпус DFN 5x6 (PowerDFN, PDFN5060) с 8 выводами и усиленной термоплощадкой.
  • Низкопрофильная конструкция (высота менее 1.1 мм) для компактного SMD-монтажа в многослойных платах.
  • Керамическая подложка и низкое термическое сопротивление обеспечивают отличный теплоотвод.
  • Совместимость с автоматическими линиями поверхностного монтажа (SMD/SMT).
  • Вес компонента: 0.00035 кг (0.35 грамма).
  • Габаритные размеры (Д x Ш x В): 5.0 мм x 6.0 мм x 1.0 мм.

Особенности:

  • Сверхнизкое сопротивление открытого канала (0.9 мОм) минимизирует потери проводимости и нагрев при токах до 80 А.
  • Оптимизирован для синхронного выпрямления: имеет малый заряд затвора и низкое время восстановления паразитного диода.
  • Высокая стойкость к лавинному пробою (100% EAS тестирование) — надежная работа в импульсных режимах и при перегрузках.
  • Полностью безсвинцовый компонент (Lead-Free), соответствует стандарту RoHS и требованиям экологической безопасности.

Рекомендации по применению:

  • Для достижения минимального RDS(on) необходимо обеспечить напряжение на затворе не менее 10 В.
  • При монтаже на печатную плату обязательно использовать теплопереходы (thermal vias) под термоплощадкой корпуса для эффективного отвода тепла.
  • Рекомендуется параллельное включение нескольких транзисторов для снижения токовой нагрузки на каждый компонент и улучшения теплового режима.
  • В топологиях синхронного выпрямления необходимо строго соблюдать времена задержки (dead time) ШИМ-контроллера для предотвращения сквозных токов.
  • При замене транзистора на плате блока питания убедитесь в совместимости распиновки и параметров драйвера затвора (обычно совместим с BSC009NE2LS, NTMFS5C410N).

Транзистор FNKG04N09E в корпусе DFN 5x6 представляет собой передовое компонентное решение для силовой части сверхмощных блоков питания ASIC-майнеров. Его уникальные характеристики — рекордно низкое сопротивление, высокая токовая нагрузка и превосходный теплоотвод — позволяют значительно повысить КПД источника питания, уменьшить нагрев и продлить срок службы майнингового оборудования.