BAZABTC

Транзистор OSG65R035HF (TO-247)

Article: 3863

DatasheetRead onlineDownload PDF
● In stock: 34 pcs.Dispatch today when ordered by 17:00 Moscow time
Warehouse

Price

725 ₽

Bonuses

+ 15 Б

VAT 5%More details

VAT is already included

The order total already includes VAT.

Order total
725.00 ₽
Total before VAT
690.48 ₽

Price and availability are current for the selected option.

Warranty termsPlease check the terms for this item.

Description

Транзистор OSG65R035HF (TO-247) — это мощный N-канальный полевой MOSFET на 700 В от Oriental Semiconductor. Компонент выполнен по технологии GreenMOS с балансировкой заряда, что обеспечивает низкое сопротивление открытого канала и высокую эффективность переключения. Прибор оптимизирован для топологий с высокой плотностью мощности, таких как промышленные блоки питания и зарядные станции.

В майнинговом оборудовании транзистор OSG65R035HF применяется в первичных цепях сверхмощных блоков питания для ASIC-майнеров Antminer, Whatsminer. Низкое сопротивление канала (35 мОм) и высокое напряжение (700 В) обеспечивают высокий КПД и надежную работу.

Назначение:

  • Силовые ключи в активных корректорах коэффициента мощности (PFC).
  • Применение в первичных цепях импульсных источников питания.
  • Использование в резонансных (LLC) топологиях и инверторах.
  • Замена вышедших из строя MOSFET в блоках питания майнеров.

Технические характеристики:

  • Модель: OSG65R035HF.
  • Производитель: Oriental Semiconductor.
  • Технология: GreenMOS.
  • Тип: N-канальный MOSFET.
  • Корпус: TO-247.
  • Напряжение сток-исток: 700 В.
  • Ток стока: 54 А.
  • Сопротивление открытого канала: 0.035 Ом (35 мОм).
  • Рассеиваемая мощность: 400 Вт.
  • Рабочая температура: -55…+150 °C.

Конструктивные особенности:

  • Корпус TO-247, размеры 15.9×5.0 мм.
  • Высота корпуса с выводами: 20.3 мм.
  • Вес компонента: 0.0061 кг (6.1 грамма).
  • Прочный пластиковый корпус с металлической подложкой.

Особенности:

  • Низкое сопротивление открытого канала (35 мОм).
  • Высокое напряжение пробоя (700 В).
  • Технология GreenMOS для высокой эффективности.
  • Высокая надежность при температурах до 150°C.

Рекомендации по применению:

  • Обеспечить напряжение затвора ≥10 В.
  • Использовать термопасту при монтаже на радиатор.
  • Применять снабберные цепи для подавления выбросов.

OSG65R035HF — высокоэффективный MOSFET для блоков питания ASIC-майнеров. Низкое сопротивление и высокое напряжение обеспечивают надежную работу.