BAZABTC

Транзистор IRF9540NPBF (TO-220) -110 В, -23 А

Article: 4177

DatasheetRead onlineDownload PDF
● Out of stockLead time on request Send a request and we will confirm the next shipment.
Warehouse

Price

151 ₽

Bonuses

+ 3 Б

VAT 5%More details

VAT is already included

The order total already includes VAT.

Order total
151.00 ₽
Total before VAT
143.81 ₽

Price and availability are current for the selected option.

Warranty termsPlease check the terms for this item.

Description

Транзистор IRF9540NPBF (TO-220) — это мощный P-канальный полевой MOSFET, предназначенный для работы в ключевых режимах в цепях с отрицательным напряжением. Компонент выполнен по передовой технологии HEXFET от Infineon (ранее International Rectifier), что обеспечивает низкое сопротивление открытого канала и высокую скорость переключения. Данный транзистор является комплементарной парой для популярного N-канального IRF540N.

В майнинговом оборудовании IRF9540NPBF применяется в цепях управления питанием, для коммутации отрицательных напряжений в драйверах верхнего плеча, в схемах защиты от обратной полярности, а также в силовых ключах вторичных цепей блоков питания. Низкое сопротивление открытого канала (0.117 Ом) и высокое напряжение пробоя обеспечивают надёжную работу в условиях импульсных нагрузок.

Назначение:

  • Силовые ключи в цепях коммутации отрицательного напряжения.
  • Применение в схемах защиты от обратной полярности.
  • Использование в драйверах верхнего плеча для IGBT/MOSFET.
  • Замена вышедших из строя P-канальных транзисторов в блоках питания майнеров.

Технические характеристики:

  • Модель: IRF9540NPBF.
  • Тип: P-канальный MOSFET.
  • Корпус: TO-220.
  • Напряжение сток-исток: -110 В.
  • Ток стока: -23 А.
  • Импульсный ток: -92 А.
  • Сопротивление открытого канала: 0.117 Ом.
  • Рассеиваемая мощность: 140 Вт.
  • Заряд затвора: 54 нКл.
  • Рабочая температура: -55…+175 °C.

Конструктивные особенности:

  • Корпус TO-220, размеры 10.2×4.7×15.2 мм.
  • Вес компонента: 0.002 кг (2.0 грамма).
  • Прочный пластиковый корпус с металлической подложкой.

Особенности:

  • Комплементарная пара к IRF540N.
  • Низкое сопротивление открытого канала.
  • Высокая скорость переключения.
  • Технология HEXFET.

Рекомендации по применению:

  • Обеспечить напряжение затвор-исток ≥ -10 В.
  • Использовать радиатор с принудительным обдувом при токах >10А.
  • Применять снабберные цепи для подавления выбросов.

IRF9540NPBF — мощный P-канальный MOSFET для коммутации отрицательного напряжения в майнинговом оборудовании. Высокое напряжение и низкое сопротивление обеспечивают надёжную работу.