Диод B2D10065K (TO-220)

Article: 4359

● Out of stockLead time on request Send a request and we will confirm the next shipment.
Warehouse

Price

314 ₽

Bonuses

+ 6 Б

VAT 5%More details

VAT is already included

The order total already includes VAT.

Order total
314.00 ₽
Total before VAT
299.05 ₽

Price and availability are current for the selected option.

Warranty termsPlease check the terms for this item.

Description

B2D10065K — это высокоэффективный SiC Schottky-диод, предназначенный для работы в силовых схемах, где требуется высокая скорость переключения, низкие потери и надёжность при экстремальных температурах. Благодаря технологии карбида кремния (SiC), он обеспечивает практически нулевые потери при переключении и минимальный обратный ток, что делает его идеальным для применения в майнинговом оборудовании, источниках питания и системах коррекции коэффициента мощности.

Ключевые особенности

  • Тип: SiC Schottky-диод
  • Корпус: TO-220 — удобен для монтажа на радиатор
  • Максимальное обратное напряжение: 650 В
  • Непрерывный прямой ток: до 10 А (при 160°C)
  • Импульсный ток: до 85 А (10 мс)
  • Низкий обратный ток: менее 15 μA при 650 В
  • Отсутствие обратного восстановления — высокая частота переключения

Применение в майнинге

Диод B2D10065K используется в блоках питания, инверторах, DC-DC преобразователях и других силовых узлах майнинговых установок. Его высокая термостойкость и эффективность позволяют обеспечить стабильную работу оборудования при круглосуточной нагрузке, снижая тепловые потери и повышая общую надёжность системы.

Технические характеристики

  • Максимальное напряжение: 650 В
  • Максимальный ток: 10 А (при 160°C)
  • Импульсный ток: до 85 А
  • Мощность рассеивания: до 163 Вт
  • Температурный диапазон: от -55°C до +175°C
  • Вес: около 2.2 грамма
  • Размеры: длина ~15.5 мм, ширина ~10.0 мм, высота ~4.7 мм

Преимущества

  • Практически нулевые потери при переключении
  • Высокая термостойкость — до 175°C
  • Минимальный обратный ток — высокая эффективность
  • Подходит для высокочастотных и импульсных схем