BAZABTC

Транзистор UJ4C075060K4S (PG-TO 247-4) 750 В, 28 А

Article: 6639

DatasheetRead onlineDownload PDF
● In stock: 120 pcs.Dispatch today when ordered by 17:00 Moscow time

Stock and price by warehouse

  • Склад №1

    In stock: 120

    696 ₽

    per item

    Dispatch today when ordered by 17:00 Moscow time

    VAT 5%More details

    VAT is already included

    The order total already includes VAT.

    Order total
    696.00 ₽
    Total before VAT
    662.86 ₽

  • Склад №2

    Out of stock

We will add this item from Склад №1.

Price · Склад №1

696 ₽

Bonuses

+ 14 Б

Price and availability are current for the selected option.

Warranty termsPlease check the terms for this item.

Description

UJ4C075060K4S — это современный N-канальный SiC MOSFET, выполненный в корпусе PG-TO 247-4, предназначенный для работы в высоковольтных и высокочастотных силовых цепях. Основан на технологии карбида кремния (SiC), что обеспечивает низкие потери, высокую термостабильность и надёжную работу в условиях интенсивной эксплуатации.

Применяются в блоках питания: APW171215A, APW171215C

Ключевые характеристики

  • Тип: N-канальный SiC MOSFET
  • Максимальное напряжение сток-исток: 750 В
  • Максимальный ток стока: 60 А
  • Корпус: PG-TO 247-4, с дополнительным выводом для гейта
  • Сопротивление открытого канала: менее 60 мОм
  • Температурный диапазон: от –55°C до +175°C

Применение в майнинге

Транзистор UJ4C075060K4S применяется в силовых блоках питания, высокоэффективных DC-DC преобразователях, инверторах и драйверах майнингового оборудования. Благодаря технологии SiC, он обеспечивает минимальные потери при переключении, высокую плотность тока и устойчивость к перегреву, что критично для круглосуточной работы.

Преимущества

  • Технология SiC — высокая эффективность и надёжность
  • Корпус PG-TO 247-4 — улучшенное управление гейтом
  • Подходит для высокочастотных и импульсных режимов
  • Совместимость с промышленными стандартами монтажа
  • Устойчивость к перегрузкам и термическим скачкам

UJ4C075060K4S — это высокотехнологичный транзистор для построения энергоэффективных решений в майнинге и промышленной электронике.