Транзистор G40T120AK3SD (TO-247)

Article: 6689

● In stock: 8 pcs.Dispatch today when ordered by 17:00 Moscow time
Warehouse

Price

615 ₽

Bonuses

+ 12 Б

VAT 5%More details

VAT is already included

The order total already includes VAT.

Order total
615.00 ₽
Total before VAT
585.71 ₽

Price and availability are current for the selected option.

Warranty termsPlease check the terms for this item.

Description

G40T120AK3SD — это мощный IGBT-транзистор с изолированным затвором, предназначенный для работы в высоковольтных и высокочастотных силовых цепях. Корпус TO-247 обеспечивает надёжный теплоотвод и устойчивость к перегрузкам, что делает компонент идеальным для применения в майнинговых блоках питания, инверторах и промышленных преобразователях.

Ключевые характеристики

  • Тип: IGBT транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor)
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 1200 В
  • Максимальный ток коллектора: 40 А (импульсный до 80 А)
  • Корпус: TO-247, с теплоотводящей площадкой
  • Мощность рассеяния: до 333 Вт
  • Падение напряжения VCE(sat): 2.4 В при IC = 10 А
  • Температурный диапазон: от –55°C до +150°C

Применение в майнинге

G40T120AK3SD используется в силовых блоках питания, драйверах, инверторах и преобразователях напряжения майнингового оборудования. Благодаря высокой коммутируемой мощности и устойчивости к перегреву, он обеспечивает стабильную работу при круглосуточной эксплуатации.

Преимущества

  • Высокое рабочее напряжение — до 1200 В
  • Корпус TO-247 — надёжный теплоотвод и механическая прочность
  • Подходит для высокочастотных и импульсных режимов
  • Совместимость с промышленными стандартами монтажа
  • Низкие коммутационные потери и высокая эффективность

G40T120AK3SD — это надёжный силовой транзистор для построения энергоэффективных решений в майнинге и промышленной электронике.