BAZABTC

Транзистор OSG80R900D (TO-252)

Article: 7001

DatasheetRead onlineDownload PDF
● Out of stockLead time on request Send a request and we will confirm the next shipment.
Warehouse

Price

734 ₽

Bonuses

+ 15 Б

VAT 5%More details

VAT is already included

The order total already includes VAT.

Order total
734.00 ₽
Total before VAT
699.05 ₽

Price and availability are current for the selected option.

Warranty termsPlease check the terms for this item.

Description

OSG80R900D — это надёжный N-канальный MOSFET транзистор, выполненный в корпусе TO-252 (DPAK), предназначенный для поверхностного монтажа. Он оптимален для применения в майнинговых блоках питания, DC-DC преобразователях, драйверах и силовых модулях, где важны компактность, высокая эффективность и термостабильность.

Ключевые характеристики

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Максимальное напряжение сток-исток: 800 В
  • Максимальный ток стока: 9 А
  • Корпус: TO-252 (DPAK), для поверхностного монтажа
  • Сопротивление открытого канала: около 0.9 Ом
  • Мощность рассеяния: до 45 Вт
  • Температурный диапазон: от –55°C до +150°C

Применение в майнинге

OSG80R900D применяется в схемах управления питанием, преобразователях напряжения, синхронных выпрямителях и коммутационных блоках. Благодаря высокому напряжению пробоя и компактному корпусу, он обеспечивает надёжную работу оборудования при длительной эксплуатации и высоких нагрузках.

Преимущества

  • Высокое напряжение до 800 В — подходит для силовых цепей
  • Корпус TO-252 — компактность и эффективный теплоотвод
  • Низкое сопротивление канала — минимальные потери
  • Подходит для поверхностного монтажа
  • Устойчивость к перегреву и лавинным нагрузкам

OSG80R900D — это надёжный транзистор для построения энергоэффективных решений в майнинге, источниках питания и промышленных системах управления.