BAZABTC

Транзистор TP65H150BG4JSG (5x6 PQFN)

Article: 7223

DatasheetRead onlineDownload PDF
● Out of stockLead time on request Send a request and we will confirm the next shipment.
Warehouse

Price

1,082 ₽

Bonuses

+ 22 Б

VAT 5%More details

VAT is already included

The order total already includes VAT.

Order total
1,082.00 ₽
Total before VAT
1,030.48 ₽

Price and availability are current for the selected option.

Warranty termsPlease check the terms for this item.

Description

TP65H150BG4JSG — это современный высоковольтный GaN FET транзистор (SuperGaN®) от Renesas, выполненный в компактном корпусе 5×6 мм PQFN с выводом источника на подложке. Устройство построено на базе технологии Gen IV, сочетает высоковольтный GaN HEMT и низковольтный кремниевый MOSFET в каскодной конфигурации, что обеспечивает режим «нормально закрыт» и совместимость с распространёнными драйверами затвора. Такой подход позволяет достичь высокой эффективности, низких потерь и повышенной надёжности по сравнению с традиционными кремниевыми решениями.

Назначение

TP65H150BG4JSG применяется в источниках питания для майнинг‑ферм, высокоэффективных AC‑DC и DC‑DC преобразователях, блоках питания серверов и телеком‑оборудования, в системах коррекции коэффициента мощности (PFC), зарядных станциях для электромобилей, а также в промышленных и бытовых инверторах. Компактный корпус и низкие коммутационные потери делают его отличным выбором для оборудования с высокой плотностью мощности.

Ключевые преимущества

  • Максимальное напряжение сток‑исток — 650 В (до 800 В в импульсном режиме).
  • Сопротивление открытого канала RDS(on) — 150 мОм (динамическое значение).
  • Низкий заряд затвора QG — около 8,8 нКл для быстрого переключения.
  • Малый заряд обратного восстановления QRR и низкие потери на переключение.
  • Высокая надёжность и широкий температурный диапазон работы (−55 °C…+150 °C).
  • Компактный корпус 5×6 мм PQFN с оптимизированной компоновкой выводов для высокоскоростных схем.
  • RoHS‑совместимый и не содержит галогенов.

Технические характеристики

Тип: N‑канальный GaN FET (Cascode)
Технология: SuperGaN® Gen IV
Корпус: PQFN 5×6 мм (с выводом источника на подложке)
Максимальное напряжение VDS: 650 В (до 800 В в импульсе)
Максимальный ток ID: 16 А (TC = 25 °C), 10 А (TC = 100 °C)
Сопротивление канала RDS(on): 150 мОм (динамическое)
Заряд затвора QG: 8,8 нКл
Заряд выходной ёмкости Qoss: 35 нКл
Максимальная рассеиваемая мощность: 83 Вт (TC = 25 °C)
Диапазон рабочих температур: от −55 °C до +150 °C