Транзистор IKW20N60T (TO-247) K20T60

Article: 3221

● In stock: 26 pcs.Dispatch today when ordered by 17:00 Moscow time
Warehouse

Price

302 ₽

Bonuses

+ 6 Б

VAT 5%More details

VAT is already included

The order total already includes VAT.

Order total
302.00 ₽
Total before VAT
287.62 ₽

Price and availability are current for the selected option.

Warranty termsPlease check the terms for this item.

Description

IKW20N60T (K20T60) — это высоковольтный IGBT‑транзистор в корпусе TO‑247, рассчитанный на работу с напряжением до 600 В и токами до 20 А. Компонент сочетает низкие коммутационные потери, высокую скорость переключения и устойчивость к тепловым перегрузкам, что делает его оптимальным для мощных импульсных и инверторных систем.

В майнинговом оборудовании IKW20N60T применяется в силовых каскадах блоков питания ASIC‑майнеров, драйверах, высоковольтных DC‑DC преобразователях, инверторах и схемах коммутации. Благодаря корпусу TO‑247 с увеличенной площадью теплоотвода транзистор обеспечивает стабильную работу при круглосуточных нагрузках.

Назначение:

  • Высокомощные импульсные источники питания (SMPS).
  • Инверторы и преобразователи.
  • Силовые модули ASIC‑майнеров.
  • Высоковольтные DC‑DC преобразователи.
  • Промышленная и серверная электроника.

Технические характеристики (обобщённо):

  • Тип: IGBT‑транзистор.
  • Корпус: TO‑247.
  • Максимальное напряжение: 600 В.
  • Максимальный ток: до 20 А.
  • Низкие коммутационные потери.
  • Высокая скорость переключения.

Преимущества IKW20N60T:

  • Высокая энергоэффективность.
  • Минимальные тепловые потери.
  • Надёжность при 24/7 эксплуатации.
  • Устойчивость к токовым перегрузкам.
  • Совместимость с современными силовыми топологиями.

Применение в майнинге:

  • Силовые каскады блоков питания ASIC‑майнеров.
  • Инверторные модули и драйверы.
  • Высоковольтные DC‑DC модули.
  • Ремонт и модернизация мощных PSU.

IKW20N60T (K20T60) — это надёжный IGBT‑транзистор промышленного уровня, идеально подходящий для майнинговых систем, серверных блоков питания и высоконагруженной электроники, где критически важны стабильность, долговечность и минимальные потери.