Транзистор STW48N60DM2 (TO-247) 600 В, 40 А

Article: 2381

● In stock: 40 pcs.Dispatch today when ordered by 17:00 Moscow time
Warehouse

Price

252 ₽

Bonuses

+ 5 Б

VAT 5%More details

VAT is already included

The order total already includes VAT.

Order total
252.00 ₽
Total before VAT
240.00 ₽

Price and availability are current for the selected option.

Warranty termsPlease check the terms for this item.

Description

STW48N60DM2 — это высоковольтный N-канальный MOSFET серии MDmesh DM2, рассчитанный на напряжение 600 В и ток до 48 А. Транзистор выполнен в корпусе TO-247 и обладает сверхнизким сопротивлением открытого канала, высокой скоростью переключения и минимальными коммутационными потерями.

В майнинговом оборудовании STW48N60DM2 применяется в силовых каскадах блоков питания ASIC-майнеров, PFC-модулях, LLC-резонансных преобразователях, высоковольтных DC-DC модулях и инверторах. Технология MDmesh DM2 обеспечивает высокую энергоэффективность и стабильность при круглосуточной эксплуатации.

Назначение:

  • Импульсные источники питания (SMPS).
  • PFC-каскады и AC-DC преобразователи.
  • LLC и PSFB высокочастотные топологии.
  • Силовые модули ASIC-майнеров.
  • Инверторы и драйверы силовых ключей.

Технические характеристики (обобщенно):

  • Тип: N-канальный MOSFET.
  • Корпус: TO-247.
  • Максимальное напряжение: 600 В.
  • Максимальный ток: 48 А.
  • Rds(on): ~0.068 Ом.
  • Высокая скорость переключения.

Преимущества STW48N60DM2:

  • Минимальные тепловые и коммутационные потери.
  • Высокая энергоэффективность в мощных PSU.
  • Надежность при 24/7 эксплуатации.
  • Увеличенная площадь теплоотвода корпуса TO-247.
  • Совместимость с современными силовыми топологиями.

Применение в майнинге:

  • Силовые каскады блоков питания ASIC-майнеров.
  • Высоковольтные DC-DC модули.
  • PFC-модули и коррекция коэффициента мощности.
  • Ремонт и модернизация мощных PSU.

STW48N60DM2 (TO-247) — это высокоэффективный MOSFET промышленного уровня, идеально подходящий для майнинговых систем, серверных блоков питания и высоконагруженной электроники, где критически важны стабильность, долговечность и минимальные потери.