Транзистор D13005MD ( TO-220) 700 В, 4 А

Транзистор D13005MD (TO-220) — это высоковольтный NPN биполярный транзистор, предназначенный для высокоскоростного переключения в мощных цепях. Компонент выполнен по планарной эпитаксиальной технологии и оптимизирован для работы в импульсных источниках питания, электронных балластах и преобразователях напряжения. Благодаря высокому напряжению коллектор-база (700 В) и току коллектора до 4 А, этот транзистор обеспечивает надёжную работу в условиях высоких напряжений и коммутационных нагрузок.

В майнинговом оборудовании D13005MD применяется во вспомогательных цепях питания, в схемах запуска блоков питания и в драйверах маломощных преобразователей. Используется для замены вышедших из строя транзисторов в платах управления и вторичных источниках питания ASIC-майнеров. Высокая скорость переключения и низкое напряжение насыщения делают его подходящим для использования в высокочастотных импульсных цепях.

Назначение:

• Высокочастотные импульсные источники питания (SMPS) для электронных балластов и энергосберегающих ламп.
• Применение в качестве ключевого элемента в маломощных DC-DC преобразователях.
• Использование в схемах запуска и управления блоками питания ASIC-майнеров.
• Замена вышедших из строя биполярных транзисторов в управляющих платах.

Технические характеристики:

• Модель: D13005MD (3DD13005MD).
• Тип: NPN биполярный транзистор.
• Корпус: TO-220.
• Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): 400 В.
• Напряжение коллектор-база (VCBO): 700 В.
• Напряжение эмиттер-база (VEBO): 9 В.
• Ток коллектора (IC): 4 А.
• Импульсный ток коллектора (ICP): 8 А.
• Рассеиваемая мощность (Ptot): 75 Вт.
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)): 2 В (при IC=4A, IB=1A).
• Коэффициент усиления по току (hFE): 8 (при IC=500mA, VCE=10В).
• Граничная частота (fT): 4 МГц.
• Рабочая температура (Tj): -55…+150 °C.

Конструктивные особенности:

• Корпус TO-220 с металлической подложкой для отвода тепла.
• Планарная эпитаксиальная структура.
• Высокое пробивное напряжение.
• Высокая скорость переключения.
• Соответствие RoHS.
• Вес компонента: 0.002 кг (2.0 грамма).
• Габаритные размеры (Д x Ш x В): 10.2 мм x 4.7 мм x 15.2 мм.

Особенности:

• Высокое напряжение коллектор-база (700 В) обеспечивает запас прочности.
• Быстрое переключение для высокочастотных применений.
• Низкое напряжение насыщения.
• Высокая надёжность в импульсных режимах.

Рекомендации по применению:

• Обеспечить достаточный ток базы для насыщения транзистора.
• Использовать радиатор при токах свыше 2 А.
• При коммутации индуктивной нагрузки устанавливать защитный диод.
• Не превышать максимальные значения тока и напряжения.

D13005MD — надёжный высоковольтный NPN транзистор для использования в импульсных источниках питания и преобразователях майнингового оборудования. Высокое напряжение и быстродействие обеспечивают стабильную работу в ключевых режимах.