Транзистор IV1Q12080T4 (ТО-247-4) 1200 В 42 А

Транзистор IV1Q12080T4 (TO-247-4) — это мощный N-канальный SiC MOSFET (карбид-кремниевый полевой транзистор) от компании InventChip (瞻芯电子), выполненный по планарной технологии с управлением от затвора 20 В. Данный компонент предназначен для высоковольтных ключевых приложений, работающих на высоких частотах, и обеспечивает рекордно низкое сопротивление открытого канала, малые потери переключения и высокую стабильность параметров в широком температурном диапазоне. Корпус TO-247-4 с четырьмя выводами (включая отдельный вывод для истока Кельвина) оптимизирован для минимизации паразитной индуктивности и повышения скорости переключения.

В майнинговом оборудовании транзистор IV1Q12080T4 применяется в первичных цепях сверхмощных блоков питания ASIC-майнеров (Antminer, Whatsminer), в активных корректорах коэффициента мощности (PFC) и в резонансных LLC-преобразователях. Высокое напряжение пробоя (1200 В) и способность коммутировать токи до 42 А делают его идеальным выбором для построения высокоэффективных импульсных источников питания, работающих в тяжелом режиме 24/7. Применение SiC технологии позволяет значительно снизить потери переключения и повысить общий КПД блока питания.

Назначение:

• Силовые ключи в активных корректорах коэффициента мощности (PFC) блоков питания ASIC-майнеров.
• Применение в первичных цепях высокоэффективных импульсных источников питания (SMPS) для хеш-плат.
• Использование в резонансных (LLC) преобразователях и инверторных узлах.
• Замена вышедших из строя SiC MOSFET в ремонтируемых блоках питания Antminer, Whatsminer и других майнеров.

Технические характеристики:

• Модель: IV1Q12080T4.
• Производитель: InventChip (瞻芯电子).
• Тип: N-канальный SiC MOSFET (карбид кремния).
• Технология: Планарная, управление 20 В.
• Корпус: TO-247-4 (4 вывода, с истоком Кельвина).
• Максимальное напряжение сток-исток (VDSS): 1200 В.
• Максимальный постоянный ток стока (ID): 42 А (при TC=25°C).
• Ток стока при 100°C: 28 А.
• Импульсный ток стока (IDM): 120 А.
• Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 80 мОм (типовое) / 100 мОм (максимальное).
• Напряжение затвор-исток (VGSS): ±20 В (рекомендуемое напряжение управления 15-18 В).
• Заряд затвора (QG): 85 нКл (типовое).
• Входная емкость (Ciss): 2350 пФ (типовое).
• Выходная емкость (Coss): 85 пФ (типовое).
• Проходная емкость (Crss): 15 пФ (типовое).
• Время задержки включения (td(on)): 22 нс.
• Время задержки выключения (td(off)): 35 нс.
• Внутреннее сопротивление затвора (Rg): 3.5 Ом.
• Диапазон рабочих температур перехода (Tj): -55…+175 °C.
• Тепловое сопротивление переход-корпус (RθJC): 0.65 °C/Вт.

Конструктивные особенности:

• Корпус TO-247-4 с отдельным выводом истока Кельвина для минимизации индуктивности цепи управления.
• Технология карбида кремния (SiC) для работы на высоких частотах и температурах.
• Низкие потери переключения и проводимости.
• Высокая надежность и устойчивость к лавинному пробою.
• Соответствие стандартам RoHS.
• Габаритные размеры (Д x Ш x В): 15.9 мм x 5.1 мм x 20.3 мм.
• Вес компонента: 0.0065 кг (6.5 грамма).

Особенности:

• Низкое сопротивление открытого канала (80 мОм) минимизирует потери проводимости.
• Малый заряд затвора и низкие емкости обеспечивают высокую скорость переключения.
• Высокое напряжение пробоя (1200 В) гарантирует надежную работу в высоковольтных цепях.
• Отдельный вывод истока Кельвина позволяет управлять транзистором с минимальными паразитными эффектами.

Рекомендации по применению:

• Для управления транзистором использовать специализированный драйвер с напряжением 15-18 В.
• При монтаже на радиатор обязательно использовать термопасту для улучшения теплового контакта.
• Рекомендуемый момент затяжки винта крепления: 0.8 – 1.2 Н·м.
• В цепях с индуктивной нагрузкой применять снабберные цепи для подавления выбросов напряжения.

Транзистор IV1Q12080T4 (TO-247-4) представляет собой высокотехнологичное компонентное решение для силовых каскадов блоков питания ASIC-майнеров. Сочетание высокого напряжения пробоя, низкого сопротивления канала и малых потерь переключения позволяет создавать импульсные источники питания с рекордным КПД, снижать требования к системе охлаждения и обеспечивать длительный срок службы майнингового оборудования.